アプリケーション

• 真空または、不活性ガス置換による熱処理が必要な、新機能材料や超伝導体の研究開発
• 低融点金属の溶融、セラミック材料の焼成

製品の特長

高速昇温

高性能ヒーターを使用しており、常温 → 1000℃まで約10分で到達します。
※空炉、無負荷時の昇温速度です。

真空プロセスに対応

到達真空度100Pa（0.75 Torr）以下で熱処理が可能です。
炉を閉じた時に気密性を持たせるよう、昇降式のステージ上部にＯリングを備えて
おり、各種真空ポンプを用いた真空プロセスに対応することができます。

不活性ガス雰囲気下でのプロセスに対応

装置背面にガス導入・排出のポートを有しており、炉内のガスの純度を一定に
保ちながら熱処理を行うことができます。（対応ガス種 N2、Ar）

ワークチェンジが容易に行える昇降式ステージ

ステージは上下に移動する機構になっており、炉の外で試料の設置・取り出しが
できるため、実験を効率的に行えます。

AC100Vで運転可能

電気炉本体は、一般的なコンセントの100V電源で稼動させることができます。
（電流容量 11A）
※真空ポンプの電源は別途必要となります。

プログラム運転、PCによる外部制御に対応

最大で8つの温度制御プログラムを設定することができます。
また、USB接続によるPCからの外部制御も可能です。

※PC別売りです。

操作部

接続ポート

装置背面に、ガス導入/排出口と真空ポンプ接続の各ポートが配置されています。

 

炉内構造

炉内上部の熱電対で温度をモニターします。　有効エリアφ80×H50mm内で、均熱が
得られるよう最適なヒーター配置を行なっています。

炉内温度分布

下記は 500℃、600℃、700℃、800℃、900℃、1000℃ 定常時の炉内温度分布を
示しています。 各温度帯での温度分布は±5℃以下です。
（無負荷、大気状態）

試料設置方法

装置前面のタッチパネル操作でステージを昇降させることができます。
試料の出し入れが容易なため、作業を効率的に行うことが可能です。

炉OPEN		試料設置		炉CLOSE
ステージが下降し試料の 　　設置、取り出しが出来ます。		セラミックファイバー台の上に 　試料を設置し、タッチパネルの 　[ステージ上昇]を押します。		ステージが上昇し、 　　炉が気密状態になります。

装置仕様

温度制御範囲	100℃～1100℃
常用温度	1000℃
昇温時間	常温から1000℃まで約10分(空炉)
対応ガス種	N2、Ar
到達真空度	100Pa以下(ご使用になる真空ポンプの能力に依存します。)
接続ポート	1/4インチ インサート管継手 (真空接続×1、ガス導入×1、ガス排出×1)
有効炉内寸法	Φ80×H50mm
ヒーター	カンタルヒーター
温度センサ	R熱電対
温度調節プログラム	最大8プログラム、32セグメント(オプションでパソコン接続可能)
温度制御	2自由度PID制御
付属ソフトウェア	オムロン株式会社製パソコンソフト「CX-Thermo」
外部制御	USB端子×1
外形寸法	W290×D310×H490mm
重量	18kg
電源	AC100Ｖ　　50/60Hz　消費電力 1100VA
オプション	油回転真空ポンプ（RSP-031V）、到達圧力：0.67Pa ドライ真空ポンプ（RSP-FD）、到達圧力：1220Pa ブルドン管真空計
標準価格	￥ 895,000.- （税別）

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