Si デバイス	化合物半導体	PVセル

アプリケーション

• イオン注入後の活性化処理
• オーミックコンタクト形成
• GaAs, GaN, InP, SiC 等 化合物半導体のアニール
• PZT、SBT等 強誘電体薄膜の結晶化アニール
• PVセルのアニール
• 酸化膜生成
• シリサイド形成,サリサイド形成
• Polyシリコンのアニール処理

特長

• コンパクトな卓上型システムで省スペース。
• 最高到達温度 1250℃、最高昇温速度 150℃/秒の高速熱処理に対応。※標準的なSiウェハ処理時
• ランプゾーン出力制御（6ゾーン）による均熱性の向上（Δ10℃以内）
• 非接触加熱、絶縁石英チューブ、コールドウォール構造によるクリーン熱処理。
• パージ置換方式で残留酸素濃度 10ppm以下の熱処理に対応。
• 特許のERPパイロメーター(450℃ ～ 1250℃）※オプション
• MFCによるプロセスガス流量制御（プログラマブル、最大4系統のMFCを組み込み可能）
• RTAプロセスに最適化された温度制御アルゴリズム。
• 簡単なオペレーションで石英チューブ、石英トレイを取り外し交換することが可能。(デポ物のクリーニング対応が容易)
• 組み込みPCによるレシピ編集/保存、リアルタイムプロセスモニター、プロセスデータ管理。
• ソフトウェア上でパイロメータキャリブレーションをはじめ各種キャリブレーションに対応。
• ウォッチドッグタイマー、過昇温防止、冷却水循環流量監視 等の徹底された安全対策。

RTAProソフトウェア

AccuThermoシリーズRTAシステムには組み込みボードPCおよびRTAProソフトウェアが標準搭載されており、グラフィカルなインターフェイス上で任意のアニールレシピの作成・保存・実行、および プロセスデータの管理を行うことができます。また、ソフトウェア上で熱電対回路やパイロメータ、チャンバー/ランプ等のキャリブレーションを容易に行うことができ、安定かつ再現性の高いアニールプロセスを実行できます。

仕様

項目		仕様
対応基板サイズ		[標準] φ3インチ ～ φ6インチ [オプション] φ2インチ ～ φ4インチ [オプション] 156mm × 156mm 角型基板 [オプション] サセプタ使用時：個片チップ～φ6インチ
温度制御範囲	TC	100℃ ～ 800℃
	[Option] Special-TC	100℃ ～ 1050℃(*1)
	[Option] パイロメータ	450℃ ～ 1250℃(*1)
加熱方式		赤外線ランプ放射加熱（1.2kW×21本,Top 10、Bottom 11）
冷却方式		ガスパージによる強制空冷
加熱方向		上下面2方向
温度制御方式		検出温度フィードバックによるクローズドループ制御
昇温速度		10℃/sec ～ 150℃/sec(*1)
降温速度		10℃/sec ～ 150℃/sec(*2)
温度測定精度		TC：±1℃(校正後)，ERPパイロメータ：±4℃(校正後)
面内温度均一性		ΔT 10℃(*1)
ランプゾーン数		6ゾーン独立制御
試料ローディング方式		フロントローディング（手動）
プロセス処理室、試料搭載部		石英チューブ、石英トレイ
チャンバー材質		アルミニウム合金 + 拡散反射Auコーティング
チャンバー冷却方式		空冷・水冷併用
プロセスガス種		N2、O2、He、Ar、フォーミングガス（水素濃度5％程度） その他のガス種はご相談ください
プロセスガス系統数		[標準] 1系統(N2) [オプション] 最大4系統
プロセスガス流量制御範囲		[標準] 0.2slpm ～ 10slpm (MFCによる制御) [オプション] 20sccm ～ 1000sccm (MFCによる制御) 他
登録レシピ数		制限なし
レシピ当たりのステップ数		最大40ステップ (サイクリックアニールの場合、最大99ループ対応)
プロセス制御方式		装置組み込みコンピューターボード、RTAProソフトウェア、17インチ液晶モニタ、キーボード、マウス
ソフトウェアの主な機能		リアルタイムプロセスモニタ レシピ編集、保存、読み出し プロセスデータリコール プロセスデータ出力(Txt形式) 各種キャリブレーション システム診断　etc.
安全対策		非常停止SW、過昇温検出、冷却水監視、ドア開閉監視、ウォッチドッグタイマー etc.
外形寸法・重量		W660 × D432 × H366 mm・50kg(*3)

*1 標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、熱容量により変動します。
*2 標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、熱容量により変動します。また物理的冷却速度に制限されます。
*3 装置寸法・重量には、周辺機器は含まれておりません。

ユーティリティ

項目	装置側接続形状	用力
電源(本体用)	M5端子台×3(RTS) 挿し込み式端子台×1(E)	AC200V三相、50/60Hz、50A
電源(パイロメータチラー用)*	接地型2Pコンセント	AC100V、50/60Hz、5A
CDAまたはN2(冷却用)	3/8”プッシュロック	0.3[MPa]、283～425[L/min] ※3[um]のフィルタを通すこと
CDAまたはN2(アクチュエータ駆動用)	1/4”Swagelok	0.55[MPa]、30[L/min]
冷却水	1/2”Swagelok (またはNPT3/8”)	水温 15℃～35℃ 0.3～0.4[MPa]、7.62[L/min以上] ※100[um]のフィルタを通すこと ※DI水、蒸留水は使用不可
プロセスガス	1/4“VCR(Male)	0.15[MPa]、10[slpm]（標準）
キャビネット排気	Φ101.6mm 短管	3000[slpm]以上
ガスボックス排気	Φ101.6mm 短管	3000[slpm]以上
プロセス排気	1/4“VCR(Male)	－

* ERPパイロメータオプションを選択した場合。

オプション

• プロセスガスライン（MFC）追加：最大4系統
• ERPパイロメーター（450℃ ～ 1250℃）※専用チラー、キャリブレーションキット付属
• Special-TCアセンブリ（100℃ ～ 1050℃）
• 各種サセプタ（SiCコーティンググラファイト，SiCコーティングシリカ）
• 各種Siキャリア（Siインゴット）
• クオーツライナー（アウトガスプロセス用）
• 低酸素濃度プロセス用 2重Oリング
• 低酸素濃度プロセス用 残留酸素濃度測定器
• スペアパーツキット Level 1，Level 2，Level 3
• GEM/SECSⅡ ネットワーク機能

専用架台

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